АНАЛІЗ ФОТОДЕТЕКТОРІВ, ЩО ВИКОРИСТОВУЮТЬСЯ В СЕНСОРНИХ МЕРЕЖАХ

Автор(и)

  • Василий Ирха Державний університет інтелектуальних технологій і зв'язку, Одеса,вул. Кузнєчна 1, 65029
  • Павел Марколенко Державний університет інтелектуальних технологій і зв'язку, Одеса,вул. Кузнєчна 1, 65029 https://orcid.org/0000-0001-5636-5111

DOI:

https://doi.org/10.30890/2567-5273.2023-30-00-022

Ключові слова:

сенсорні мережі,базові станції, пропускна здатність, фотоприймачі, швидкість, щільність, передача інформації.

Анотація

В роботі розглядаються основні проблеми побудови сенсорних мереж, що стосуються споживанню енергії мережі та залежності її роботи від пропускної здатності базових станцій. Одними з найважливіших елементів мережі є фотоприймачі, робота яких впливає на швид

Metrics

Metrics Loading ...

Посилання

Макаренко В. Технология LI-FI как альтернатива WI-FI. Электронные компоненты и системы. 2020. № 1. С. 46-51.

Li-Fi: Wireless data from every light bulb. Офіційний сайт Lifі.co. URL: https://lifi.co/.

Li-Fi – коммуникации с помощью света. Офіційний сайт виробничої фірми VD MAIS Ukraine. URL:https://vdmais.ua/news/inzhenernoe-chtivo-li-fi-kommunikatsii-s-pomoshhyu-sveta#.

Dushaq G., Rasras M. Him Film GaAs Photodetector Integrated on Silicon using Ultra-Thin Ge Buffer Layer for Visible Photonics Applications. Asia Communications and Photonics Conference – International Conference on Information Photonics and Optical Communications (ACP-IPOC). 2020. V. FTu2E. P. 5-12. DOI: https://doi.org/10.1364/FIO.2020.FTu2E.5.

Avrahamy R., Zohar M., Auslender M., Hava S. et al. Upmost Efficiency Mid IR Thin HgCdTe Photodetectors. Asia Communications and Photonics Conference – International Conference on Information Photonics and Optical Communications (ACP-IPOC). 2020. V. JTu2D. P. 21-29. DOI: https://doi.org/10.1364/CLEO_AT.2020.JTu2D.21.

Liu J., Liu F., Liu H. et al. Mixed-dimensional CsPbBr3@ZnO heterostructures for high-performance p-n diodes and photodetectors. Nano Today. 2021. V. 36. P. 101055-101069. DOI: https://doi.org/10.1016/j.nantod.2020.101055.

Wang N. High-Performance GeSn Photodetector Covering All Telecommunication Bands. IEEE Photonics Journal. 2021. V. 13. №. 2. P. 1-9. DOI: http://dx.doi.org/10.1109/JPHOT.2021. 3065223.

Kim J., Park J. B., Kim M. G., Park S. K. Correlation Between Surface Functionalization and Optoelectronic Properties in Quantum Dot Phototransistors. IEEE Electron Device Letters. 2021. V. 42. №. 4. P. 553-556. DOI: https://doi.org/10.1109/LED.2021.3061948.

Zhao C., Ali M. U., Ning J. et al. Organic single crystal phototransistors: Recent approaches and achievements. Frontiers of Physics. 2021. V. 16. P. 43202-43219. DOI: https://doi.org/10.48550/arXiv.2103.02149.

Опубліковано

2023-12-30

Як цитувати

Ирха, В., & Марколенко, П. (2023). АНАЛІЗ ФОТОДЕТЕКТОРІВ, ЩО ВИКОРИСТОВУЮТЬСЯ В СЕНСОРНИХ МЕРЕЖАХ. Modern Engineering and Innovative Technologies, 1(30-01), 30–37. https://doi.org/10.30890/2567-5273.2023-30-00-022

Номер

Розділ

Статті